半導体イオン注入装置用高濃度三フッ化ホウ素11（¹¹BF₃）

高濃縮三フッ化ホウ素11（¹¹BF₃）は、高濃度¹¹Bを原料として製造される電子用特殊ガスであり、¹¹B濃縮度は99.9%以上、純度は99.999%以上です。p型イオン注入用ドーパントガスとして不可欠であり、先端ノード半導体チップやディスプレイパネルの製造に欠かせません。