6N Boron for dopant
6n crystal boron for semiconductor dopant
Boron-Powder
Boron-Powder
Boron-Powder
Boron for semiconductoer dopant
high purity Boron for semiconductoer dopant
Boron Pellets package
crystal boron pellet packing
Boron-Powder package
6n crystal boron pellet
crystal boron pellet
crystal boron pellet pakcage

半導体ドーパント用6N純度結晶性ホウ素ペレット

結晶性ホウ素はβ菱面体構造を持ち、現在知られている元素ホウ素の中で最も安定な同素体です。灰褐色の粉末(15~60μm)または顆粒(1~10mm)として供給され、純度は2Nから6Nまであります。常温において優れた化学的不活性と耐酸化性を発揮します。モース硬度は9.3(ダイヤモンドに次ぐ)で、密度はわずか2.34g/cm³と低く、最も軽い半金属として知られています。融点は2076℃に達し、非常に高い熱安定性を示します。半導体ドーピング、超硬材料合成、特殊合金、航空宇宙産業、軍事産業など、幅広い分野で利用されています。

今すぐお問い合わせください

6N高純度結晶性ホウ素ペレット半導体ドーパント用

 

 

物理的および化学的性質

結晶性ホウ素、CAS番号7440-42-8、 金属光沢を有する灰黒色の粉末として存在し、原子結晶元素ホウ素に分類される。水、エタノール、希酸には不溶で、濃硝酸とフッ化水素酸の混合液にのみ溶解する。室温ではアルカリとは反応しない。600℃以上の温度では、酸素、窒素、炭素などの元素と反応し、還元性を示すとともに、半導体特性(室温では高い抵抗率、高温では高い電気伝導率)を示す。

 

製品の利点

BoronHubは結晶性ホウ素の製造プロセスを独自に開発し、高い結晶性と優れた化学的安定性を備えたβ型およびγ型の複合成形製品を提供している。

標準仕様では、粉末は15~60μm、顆粒は1~10mmで、純度は2N~6Nの範囲です(4N~6Nのグレードは、半導体産業における単結晶シリコンのドーピング専用です)。

粉末製品はアルミホイル袋に真空パックされ、顆粒製品は不活性ガスを充填したPTFEボトルに密閉保管されます。賞味期限は12ヶ月で、ご要望に応じて純度や粒度をカスタマイズすることも可能です。

 

結晶性ホウ素エンタープライズ仕様

シンボルB含有量(%)≧不純物含有量(ppm)≤
FeAuAgCuSnMnCaAsPbWGe
BHCB6N99.99990.50.020.030.030.080.070.010.010.020.020.04
BHCB5N99.99980.020.030.030.10.10.10.080.080.050.05
BHCB4N99.99900.060.30.10.10.11.2 0.2  

包装:通常、ポリテトラフルオロエチレン製のボトルに詰められ、不活性ガスで密封されており、仕様は50g/100g/ボトルです。

 

結晶性ホウ素の具体的な用途は何ですか?

 

I. 原子力産業

・原子炉内で中性子反応制御材として機能し、中性子速度を調整して原子炉の安定運転を維持する。

・結晶性ホウ素の優れた中性子吸収能力を活用し、中性子束を効果的に低減または調整することで、原子力エネルギーシステムの安全性を確保します。

 

II. 半導体応用

・P型ドーパント

第III族元素である結晶性ホウ素は、シリコン中にアクセプタ準位を導入し、P型半導体の製造における主要なドーパントとして機能します。イオン注入または拡散プロセスによってドーピング濃度を精密に制御することで、ダイオード、電界効果トランジスタ(FET)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのデバイスにおいて、P型ウェルまたは基板を形成することが可能になります。

 

・P型単結晶シリコンの製造

チョクラルスキー法(CZ法)またはフローティングゾーン法(FZ法)による単結晶シリコンの成長過程において、高純度多結晶シリコン溶融液に微量の高純度結晶性ホウ素が添加される。シリコン中のホウ素の偏析効果を利用することで、抵抗率を制御可能なP型シリコン単結晶が得られる。このような単結晶は、個別デバイス、アナログ集積回路、およびパワー半導体デバイスの基本的な基板材料として機能する。

 

・ホウ素添加シリコン単結晶の原料

結晶性ホウ素は、高純度ホウ素源として、溶融共ドープ法により、特定のホウ素濃度を有するシリコン単結晶の製造に利用できます。他のホウ素源(例えば、ボラン、三臭化ホウ素)と比較して、結晶性ホウ素は優れた純度安定性とドーピング均一性を備えているため、検出器や高電圧パワーチップなどの高性能半導体デバイスにおけるカスタム基板要件に適しています。

 

・純度要件

正確なドーピングプロファイルと高いデバイス歩留まりを確保するため、結晶性ホウ素は半導体グレードの純度(通常99.9999%以上、すなわち6N以上)を満たす必要があります。金属不純物(Fe、Cu、Naなど)はppbレベルで管理する必要があり、炭素や酸素などの軽元素不純物には厳しい制限が設けられています。リン、アンチモン、ヒ素などのN型ドーパントと同様に、結晶性ホウ素およびシリコンとの接触環境は、超クリーンな条件下で取り扱う必要があります。

 

III. 光学

・その優れた非線形光学特性を利用して、光変調、周波数掃引、周波数倍増などの機能を実現します。

・光変調器、光周波数コム、レーザーなどの光学デバイスの製造に用いられる。

・赤外線レーザーの利得媒体として機能し、大きな発光断面積と広い励起スペクトル範囲を特徴とする。

 

IV. 高硬度材料

・耐摩耗性と高温安定性に優れた超硬質セラミック材料である炭化ホウ素(B₄C)の製造に使用され、防弾チョッキ、硬質工具、研磨剤、耐摩耗性セラミックなどに幅広く使用されています。

・グラファイトの製造に使用される。グラファイトに似た構造、高い電気伝導性、熱安定性を有するホウ素化合物(B₉)は、高性能導電性バインダー、熱管理材料、摩擦材に適している。

 

V. 軍事・航空宇宙

・高純度ホウ素セラミック耐弾道材料

・高純度ホウ素系難燃剤

・高純度ホウ素溶接剤

・高純度ホウ素爆薬

・高純度ホウ素燃料リッチ/酸素リーンロケット推進剤

 

VI. 合金と冶金

・高純度ホウ素銅合金

・高純度ホウ素チタン合金

・高純度ホウ素添加多結晶ダイヤモンド

・高純度ホウ素超硬質耐摩耗工具

・高純度ホウ素耐食鋼板

・高純度ホウ素ニッケル合金

・高純度ホウ素クロム合金

・リチウム・ホウ素合金(次世代電池材料向け)

・ホウ素マグネシウム超伝導合金

 

VII.表面コーティング(ナノパウダー材料)

・高純度ホウ素ナノコーティング粉末材料をスパッタリング法により基板表面に成膜することで、部品に以下の特性を付与する。

耐摩耗性

耐腐食性

高温耐性

酸化耐性

老化耐性

・航空宇宙エンジンやその他の過酷な環境における極めて厳しい動作要件を満たします(例:光電子特性、磁気特性)。

 

当社は以下の事項を厳粛に誓約いたします。

当社は、以下の2つの基準の両方を満たす元素ホウ素粉末の研究開発、カスタマイズ、製造、取引、輸出は行いません。

1.粒子サイズが500マイクロメートル未満(粒子形態は問わない)。

 

2. ホウ素含有量97重量%以上。

この規格のホウ素粉末は、固体推進剤および軍事用高エネルギー物質の原料として使用でき、中国の輸出管理規制の対象となります。

 

海外のお客様は全員、書面によるエンドユーザー証明書(EUC)を提出する必要があります。証明書には、エンドユーザーに関する完全な情報と商品の真の最終用途を明記し、以下の誓約を含める必要があります。商品は、原子力施設、軍事用途、または兵器の製造に使用してはなりません。中華人民共和国商務部の事前の書面による承認なしに、商品を第三者に転売、譲渡、または再輸出することは禁止されています。

 

当社は、すべてのEUC関連文書を完全に保管し、継続的なリスク検証を実施します。取引相手が上記の約束事項に違反した場合、当社は直ちにすべての協力関係を解消し、関係規制当局に報告します。

 

 

伝言を残す
当社のホウ素材料にご興味をお持ちですか?ご要望をメッセージでお知らせください。当社の技術営業チームが24時間以内にご返信いたします。